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퀘이사존 컴퓨텍스 2024 특집 기사 바로가기 + Point
지난 1편에서는 SSD의 기본적인 내용을 살펴보았습니다. SATA, NVMe 인터페이스와 mSATA, AIC 같은 다양한 폼팩터를 만나보았죠. 이번 2편에서는 SSD의 심화를 엿보고자 합니다.
커뮤니티를 이용하다 보면 SSD를 사용할 때 용량을 꽉 채우지 말고 10% 정도는 남기라는 조언을 듣곤 합니다. 또 일부는 DRAM 캐시가 없는 디램리스 SSD는 기피하라고 조언하죠. 근데 또 일부는 디램리스 SSD여도 괜찮다고 이야기합니다. SSD 심화 과정 들여다보며 이러한 이야기가 나오는 SSD 기술을 이번 2편에서 들여다보겠습니다.
먼저 NAND 플래시부터 자세히 알아보도록 하겠습니다. NAND 플래시는 DRAM과 함께 대표적인 메모리 반도체입니다. 메모리 반도체에는 공통적으로 스위치와 데이터 저장 기능을 지니고 있습니다. 이 기능을 구현하는 게이트/트렌지스터 차이에 따라 메모리 반도체 종류가 결정되죠. DRAM 반도체는 스위치 속도가 빠르지만 데이터 저장에는 단점이 있습니다. 그 반대로 NAND 플래시는 스위치 속도가 느리지만 데이터 저장에 장점이 있죠. 특히 NAND 플래시는 경우 제품 별로 상이하지만 1~10년까지 별도 전원 공급 없이 데이터를 보존할 수 있어 비휘발성 메모리로 구분됩니다.
이 NAND 플래시는 셀(Cell) 단위로 데이터를 저장합니다. 이 셀에 전압을 주어 데이터를 저장하고 읽기/쓰기 작업이 이루어지죠. 바로 이 개별 셀에 몇 비트(bit)의 데이터를 저장할 수 있는지에 따라 SLC/MLC와 같은 구조가 결정되죠. 셀당 1bit를 저장할 수 있는 SLC를 시작으로 다양한 MLC, TLC, QLC까지 시장에 나왔습니다. 여기서 더 나아가 PLC도 현재 개발 중에 있습니다.
SLC ~ QLC의 데이터 저장 용량 비교. 자료=Kingston
보다 구체적으로 NAND 플래시의 셀은 컨트롤게이트와 플로팅게이트로 구성되어 있습니다. 이 컨트롤게이트(ControlGate)의 전압 조정을 통해 플로팅게이트(FloatingGate)에 전자를 채우고 기판의 전압 조정을 통해 전자를 비우는 방식으로 데이터를 쓰고 지우게 됩니다. 셀당 1bit를 저장하는 SLC에서 2bit를 저장하는 MLC로 오면서 전자를 저장하는 플로팅게이트 개수가 늘어나는 것이 아닙니다. 대신 컨트롤게이트의 전압을 보다 세밀하게 조정하고 플로팅게이트에 담긴 전자 양을 보다 세밀하게 구분 지어서 저장할 수 있는 데이터를 늘립니다.
NAND 플래시의 셀 단면도. 자료=디지털데일리
SLC의 경우 전자가 있냐 없냐, 단 두 가지 상태만 필요하기 때문에 2단계 전압 조정으로 비교적 간단하게 구현할 수 있죠. 하지만 MLC로 가면 전압 조정이 4단계가 필요하게 됩니다. 이어 TLC는 8단계, QLC는 16단계로, 갈수록 더 세밀한 전압 조정이 필요합니다. 이렇게 보다 세밀하고 복잡한 과정으로 진행되다 보니 작업 과정에 오류가 발생할 가능성이 올라가게 됩니다. 이를 보정하기 위해 오류 보정 작업(ECC)이 필요한데, MLC, TLC, QLC로 갈수록 이 보정 과정도 훨씬 복잡해지고 오래걸립니다. 이는 곧 쓰기 성능 저하의 원인이 되죠.
여기에 수명도 연관이 되어 있습니다. SLC는 단순한 전압 구분 덕분에 저항 변화에도 비교적 오랜 기간 셀을 유지할 수 있습니다. 하지만 MLC, TLC, QLC로 갈수록 전압 조정이 세밀하게 필요하기 때문에 이러한 저항 변화에 따른 셀 유지 기간이 줄어들게 됩니다.
SLC~TLC의 전압 구분 차이
그뿐만이 아닙니다. NAND 플래시 제조 공정 미세화가 진행되면서 개별 셀 크기가 작아져 1개의 셀에 담을 수 있는 전자 개수의 총량이 줄어듭니다. 이는 곧 TLC와 QLC 같은 고밀도 NAND를 구현하는 것이 어려워는 문제가 되죠. 1x nm(10나노급) 공정에서 1개 셀에 담을 수 있는 전자 개수는 10개로 알려져 있습니다. 이 공정에서 1개 셀에 총 8단계로 구분해야 하는 TLC를 구현하기에는 매우 난도가 높죠. 이 때문에 NAND 플래시는 기술이 발전하면서 오히려 품질은 퇴보하고 있다는 아이러니한 평가를 받기도 하죠.
그뿐만 아니라 플로팅게이트의 전자가 빠져나가지 못하도록 막아주는 산화막 두께도 얇아지며 저항 변화가 더욱 빠르게 찾아옵니다. 이렇게 기술 발전과 함께 다양한 한계점에 봉착하면서 2D NAND 방식의 한계에 봉착했다는 견해가 나오기 시작했습니다.
공정미세화가 될수록 셀의 결함이 늘어나는 딜레마. 자료=SK하이닉스
하지만 한계는 항상 돌파하는 법이지요. 업계는 NAND 플래시는 2D가 아니라 3D로, 수직으로 적층하기 시작하면서 이러한 한계를 돌파했습니다.
2D에서 봉착한 한계점의 돌파구로 NAND 플래시를 수직으로 적층하기 시작했습니다. NAND 플래시를 수직으로 적층함으로서 2D에서 봉착한 용량 확보 한계점을 돌파할 수 있었습니다. 마치 아파트를 짓듯이 단위 면적당 용량을 늘릴 수 있었죠. 32단, 64단 96단...그리고 이제는 232단 그 이상의 제품 개발 소식도 들려오고 있습니다. 얼마나 많은 높이로 적층할 수 있는가가 곧 해당 NAND 플래시 기업의 기술력 척도가 되었습니다.
2D NAND vs 3D NAND의 구조 차이. 자료=SK하이닉스
Micron이 개발한 232단 3D NAND. 자료=Micron
3D NAND 제조 공정에서 적층 후, 일부 공간을 뚫는 plug 공정이 필요합니다. 이 plug 공정에서 동일한 사이즈로 공간을 균일하게 뚫는 것뿐만 아니라, 내부 소자 작동을 위한 막을 만들어야 합니다. 문제는 적층을 높게 할수록 균일한 구멍과 막 형성을 얻기가 어렵다는 점이죠. 이런 부분으로 인해 3D NAND 플래시 적층 수가 기술력의 척도로 여겨집니다.
적층 후 구멍을 뚫는 plug 공정의 문제점. 하부층의 스트레스가 증가한다. 자료=SK하이닉스
3D 구조에서 멈추지 않았습니다. NAND 플래시 셀 작동에 필요한 주변부(Peri.) 회로 배치를 개선했죠. 2D에서 3D 적층까지 셀 작동에 필요한 주변부 회로는 셀 옆에 배치되었습니다. 반대로 이 주변 셀을 셀 하단에 배치하는 PUC(Peri Under Cell) 구조를 도입하고 소재 혁신을 달성한 4D NAND 개념을 SK 하이닉스가 소개했습니다. 이를 통해 생산 효율 증가와 면적 감소를 달성할 수 있었죠. 이러한 PUC 구조는 다른 기업에서 COP(Cell-On-Peri), CUA(CMOS Under Array) 등 다양한 이름으로 불리곤 합니다.
기존 3D NAND(좌)에서 주변부 회로를 셀 밑으로 넣은 4D NAND 구조(PUC)(우). 자료=SK하이닉스
SSD 컨트롤러와 NAND 플래시가 통신하는 인터페이스도 발전해 왔습니다. NAND 플래시 명령이 수행되는 과정에서 비동기식/동기식 구조가 나뉘게 됩니다. 동기식은 한 명령이 수행되면 그것을 처리한 이후에 다음 명령을 수행할 수 있죠. 반대로 비동기식은 하나의 명령이 수행되는 동안에도 다음 명령을 수행하는 구조입니다.
2006년, SK 하이닉스, Intel(인텔), Micron(마이크론), Phison(파이슨) 등 각종 회사가 협력해 ONFI(Open NAND Flash Interface)라는 인터페이스 규격을 정립하였습니다. 이를 통해 중구난방이었던 NAND 플래시 인터페이스 규격을 통합하고자 했죠. 당시 여기에 포함되지 않은 업계 1/2위 삼성전자와 Toshiba(도시바)는 별도로 Toggle(토글)이란 인터페이스를 구축했습니다. ONFI 규격에서는 비동기식/동기식을 모두 사용해왔습니다. 다만 Toggle 규격의 경우 비동기식만을 채택하였습니다.
보통 비동기식이 동기식 구조 대비 성능이 떨어진다고 알려져 있습니다. 하지만 실사용 관점에서는 다소 적절치 않은 이야기라고 삼성전자는 설명했습니다. 실사용에서 비동기식/동기식은 성능 차이가 없습니다. 실제 성능에 영향을 주는 것은 사용된 NAND 인터페이스 규격이죠. 무슨 뜻이냐면, ONFI 4.0이냐, Toggle 5.0이냐 하는 인터페이스 규격의 버전이 중요하다는 것입니다. 때문에 SSD의 성능을 논할 때 비동기식이냐 동기식이냐를 두고 논하는 것은 적절치 않은 것이죠.
ONFI와 Toggle 인터페이스의 버전별 속도
동일한 NAND 플래시를 사용했다고 해도, 최종 제품에서 성능과 내구성, 안정성은 큰 차이를 보일 수 있습니다. 이는 바로 SSD 컨트롤러 때문입니다. SSD 컨트롤러는 데이터 입출력과 셀 수명을 늘리기 위한 기능 관리 등, SSD의 두뇌라고 불립니다. 이 SSD 컨트롤러는 SSD에 있어 또 다른 핵심 요소입니다.
SSD의 내부 사진. 자료=SK하이닉스
앞서 이야기했다시피 NAND 플래시의 각 셀에는 수명이 존재합니다. 셀에 데이터를 쓰고 지울 때마다 셀에 데미지가 누적되죠. 이러한 셀 수명은 P/E 사이클(Program/Erasure Cycling)이라는 방식으로 표현합니다. 이 사이클은 SLC가 10만 회, MLC는 1만 회, TLC는 3천 회 정도로 셀당 밀도가 증가할수록 빠르게 감소하죠. 그와 동시에 SSD 컨트롤러는 특정 셀에 부하가 집중되어 수명과 성능이 단축되는 현상을 보완하고, 부하가 고르게 퍼지도록 발전되었습니다.
컨트롤러 성능은 곧 효율적인 NAND 플래시 관리로 이어집니다. 때문에 NAND 플래시 품질만큼이나 컨트롤러에도 많은 발전과 투자가 이루어지고 있습니다. 대표적인 NAND 생산 기업인 삼성전자와 SK하이닉스의 경우 자체 컨트롤러를 개발해 제품에 탑재하고 있습니다.
더 훌륭한 기술력을 통해 셀당 데이터 밀도를 늘릴 수 있지만, 반대로 성능이 느려지는 문제를 짚어보았습니다. 이를 해결하기 위해 다양한 기술이 적용되는데, 여기서는 2가지 기술을 살펴보겠습니다. 바로 SLC 캐시와 DRAM 캐시죠.
먼저 SLC 캐시는 SLC가 아닌 셀 일부를 SLC인 것처럼 시뮬레이션해서 사용하게 됩니다. 일부 저장 공간을 사용하는 것이기 때문에 SLC 캐시로 설정된 용량을 초과하게 되면 낮은 성능으로 작동이 된다는 한계점을 갖고 있습니다. 보통 제품 홍보에 사용되는 성능 스펙은 이 SLC 캐시 구간 속도를 측정한 경우가 많습니다.
아예 이러한 캐싱을 위한 SLC 낸드를 탑재하면 좋겠지만, 가격과 기술적인 문제로 NAND 일부를 SLC처럼 구동하도록 시뮬레이션하여 구현한 것이죠. 한편, 아예 전체 NAND를 TLC로 개발하고 정작 작동은 SLC처럼 하는 SLC 모드라는 기술도 있습니다.
1 TB TLC NAND에 SLC 캐시를 설정할 경우의 용량 변화. 자료=Sabrent
MLC와 TLC를 SLC 캐싱으로 사용시 전압 구분
SLC 캐시의 설명. 자료=Transcend
다음은 DRAM 캐시입니다. 이 DRAM 탑재를 통해 DRAM을 데이터 버퍼 역할로 활용할 수도 있지만, 대부분의 경우 맵핑 데이터를 저장합니다. 이 맵핑 데이터는 데이터가 어디에 있는지, 데이터의 주소값을 저장하는 메타데이터1)라고 할 수 있습니다. 이를 통해 시스템이 요청한 데이터가 어느 곳에 있는지 빠르게 찾아줄수 있는 것이죠. 일반적으로 1 TB 용량당 1 GB DRAM 캐시 용량이 필요한 것으로 알려져 있습니다.
DRAM 캐시가 있고 없고에 따라 시스템이 요청한 데이터를 찾아주는 시간 차이 때문에 성능에 영향을 주는 요인입니다. 때문에 이 DRAM 캐시가 없는, 디램리스(DRAM-less) SSD 제품의 경우 심하면 HDD에 준하는 체감 성능, 반응 속도가 나오는 경우도 있어 이 디램리스 제품은 특히 기피하라는 이야기도 나오곤 하죠.
1) 메타데이터(Metadata): 데이터를 설명해주는 데이터. 데이터의 속성을 알려주는 데이터. 사진파일에 함께 저장되는 파일 생성 일자, 조리개값, 노출, 색역 등을 예로 들 수 있다.
DRAM 캐시가 이러한 장점이 있지만, 문제는 가격입니다. DRAM은 NAND보다 몇 배 비싼 가격을 갖고 있습니다. 때문에 DRAM을 없애고 저렴한 가격을 장점으로 내세운 디램리스 제품이 많이 나왔습니다. 그렇지만 DRAM 캐시가 없기 때문에 성능이 떨어졌고, 일부는 HDD에 준하는 성능을 보이는 경우도 있었습니다. 때문에 소비자들 사이에서 디램리스는 저가형 싸구려 제품이라는 인식과 함께 기피시 되는 제품 취급을 받곤 했습니다.
이러한 인식을 타파하고, 성능을 개선하고자 HMB(Host Memory Buffer)라는 기술이 도입되었습니다. NVMe 1.2 표준에 도입된 이 기술은 디램리스 제품의 단점을 보완해 줄 수 있게 되었죠. 하지만 이 기술은 PCIe 인터페이스의 높은 성능을 기반으로 하기 때문에, SATA SSD는 이 기술을 이용할 수 없습니다.
HMB는 DRAM 캐시를 시스템 메모리(DDR 메모리)에서 끌어다 씁니다. 시스템 메모리를 적게는 몇 MB, 많게는 몇백 MB의 용량을 활용해 DRAM 캐시처럼 활용합니다. DRAM 캐시 역할처럼 HMB를 통해서도 이 맵핑 데이터를 저장하죠.
HMB 기술을 통한 시스템 메모리 활용을 도식화한 그림. 자료=Sabrent
이 HMB 기술을 통해 디램리스 NVMe SSD에서는 DRAM 캐시가 없어서 생기는 성능 단점을 어느 정도 상쇄할 수 있게 되었습니다. 대표적으로 HMB가 적용된 디램리스 SSD인 WD Blue SN550 제품이 디램리스임에도 괜찮은 성능을 보여주어 출시 초기에 많은 주목을 받기도 했습니다.
HMB를 통한 랜덤 읽기 성능 향상. 자료=Phison
성능 향상을 위한 기술도 있지만, 제품 수명과 내구성을 개선하기 위한 기술도 많이 있습니다. 그중 하나가 웨어 레벨링(Wear Leveling)입니다. 웨어 레벨링은 NAND 플래시의 P/E 사이클을 최대한 고르게 분포시켜 수명을 최대한 늘리는 기술입니다.
웨어 레벨링은 특정 셀에만 부하가 가중되어 P/E 사이클이 소진되는 것을 막기 위해 데이터를 모든 셀에 거쳐 고르게 저장하는 방법입니다. 이는 P/E 사이클이 모두 소진되어 배드 블록(Bad Block)이 발생하는 것을 늦춰주죠. Micron은 일부 셀만 지속적으로 사용하면 수명이 1년 미만으로 매우 짧지만, 전체 셀을 고르게 사용할 경우 수명이 15년 이상으로 늘어난다고 설명하고 있습니다.
웨어 레벨링 사용 차이에 따른 셀 내구도 소모차이를 도식화한 그림. 자료=TeamGroup
웨어 레벨링 사용에 따른 NAND 플래시 수명 차이. 자료=Micron
그렇지만 이 웨어 레벨링이 일부 테스트에서 오히려 내구성 향상에 해가 된다는 주장도 있어 추후 연구를 지켜보아야 하겠습니다.
관련 자료: 이원영. "SSD 수명 늘리는 기술 웨어레벨링, 유효성 없다". 『테크레시피』, 2022년 7월 20일, https://techrecipe.co.kr/posts/43214
SSD에 사용되는 또 다른 기술로 가비지 컬렉션이 있습니다. 이 가비지 컬렉션은 메모리 관리 기법 중의 하나로, NAND 플래시를 최적화하고 보다 효율적으로 사용할 수 있게 합니다.
가비지 컬렉션을 이해하기 위해서는 NAND 플래시의 구조와 특성을 이해해야 합니다. NAND 플래시의 기초 단위는 셀이지만, 데이터 읽기/쓰기 작업은 셀이 뭉친 페이지 단위로 이루어집니다. 이 페이지가 묶여 블록이란 단위로 구성되죠.
NAND 플래시는 데이터를 쓸 때 임의 쓰기(Random Write) 방식을 사용합니다. 데이터가 여러 블록에 걸쳐 분산되게 되죠. 이후 데이터의 삭제 요청이 오면 실제 데이터는 삭제되지 않고, 삭제 요청이 온 해당 페이지는 빈 공간이라고 '표기'만 되게 됩니다. 덮어쓰기가 불가능하기 때문에 실제 데이터는 다른 페이지에 기록됩니다. 이를 통해 프로그램이 인식하는 데이터의 위치와 실제 NAND 플래시에 있는 데이터의 위치는 서로 다르게 됩니다. 결과적으로 한 블록 안에 실제 쓰는 페이지와 삭제되었다고 표기되어 쓸 수 없는 페이지(가비지)가 섞여있게 됩니다.
삭제 요청이 오면 페이지를 그냥 삭제하면 될 것 같지만 그렇지 않습니다. 데이터를 읽고 쓰는 작업은 페이지 단위로 이루어지는데, 데이터 삭제는 블록 단위로만 가능한 것이죠. 특정 페이지의 데이터를 삭제하려면 해당 블록 전체의 데이터가 삭제돼야 하는 문제가 생깁니다. 거기에, NAND 플래시는 데이터 덮어쓰기도 불가능합니다.
이렇게 삭제되었다고 표기되어 있지만 실제로는 삭제되지 않는 데이터들, 가비지를 한 데 모아 정리해 주어 NAND 플래시를 최적화해주는 것이 가비지 컬렉션입니다. 이 가비지 컬렉션은 특정 영역에 더 이상 사용하지 않는 데이터가 있는 것을 SSD에 알려주는 TRIM 이란 명령어와 함께 연계되어 수행되곤 합니다.
가비지 컬렉션은 먼저 실제 쓰는 데이터와 빈 공간이라고 '표기'된 데이터를 구분시킵니다. 실제 쓰는 데이터는 별도의 페이지에 복사됩니다. 반면 삭제되었다고 '표기'가 된 데이터(가비지)는 동일한 블록으로 몰아줍니다.
이러한 과정을 통해 최종적으로 쓰는 페이지와 쓰지 않는 페이지가 구분이 되고 나면, 쓰지 않는 페이지가 있는 블록만 최종적으로 데이터를 삭제하게 됩니다. 이것이 가비지 컬렉션의 과정입니다. 이러한 일련의 가비지 컬렉션 과정에서 NAND 플래시의 내구성을 사용하는 추가적인 데이터 읽기/쓰기 작업이 요구되지만 필요한 작업이죠.
가비지 컬렉션 과정 인포그래픽. 자료=SK하이닉스
앞서 NAND 플래시의 저장 공간을 효율적으로 사용하기 위한 여러 기술을 살펴보았습니다. 그중에서 가비지 컬렉션은 추가적인 데이터 읽기/쓰기 작업이 필요하죠. 효율적 사용을 위한 것이지만 어쨌든 NAND 플래시의 수명을 사용하는 추가적인 작업이 발생합니다. 장기적으로 보았을 때 NAND 플래시 수명에 부정적인 영향을 줄 우려가 있죠.
여기서 오버 프로비저닝(OP, Over Provisioning)이 등장합니다. OP는 SSD의 공간 일부를 접근할 수 없는 공간으로 설정하고 대신 웨어 레벨링 및 가비지 컬렉션 등 최적화를 위한 별도 공간으로 남겨두는 기술입니다.
NAND 플래시의 저장 공간을 관리하는 별도의 공간을 마련함으로써 가비지 컬렉션 과정에 필요한 추가적인 데이터 쓰기 작업을 OP로 설정한 구역에서 진행하게 됩니다. 이는 사용자가 쓰는 공간과 분리시켰기 때문에 실제 제품의 내구성을 늘려줄 수 있죠.
얼마만큼의 공간을 확보하는지는 제품마다 다릅니다. 0%로 아예 없는 경우가 있고, 7% 혹은 28% 정도 OP 공간을 확보하는 경우도 있습니다. SSD를 사용할 때 용량을 꽉 채우지 말고 10% 정도 남겨두라는 이야기도 이러한 OP 기능이 설정이 되어 있지 않을 때 가비지 컬렉션을 위한 공간을 남겨두는 수단 중 하나입니다.
OP 비율은 자체적으로 설정되어 있기도 하지만, 사용자가 늘릴 수도 있다. 자료=삼성전자
OP 비율 설정에 따른 랜덤 쓰기 성능 향상. 자료=삼성전자.
가비지 컬렉션과 같은 데이터 관리와 함께 그를 위한 여분의 공간 설정(OP)까지, SSD를 관리하여 수명 향상에 도움을 주긴 하지만, 단점이 여전히 존재하죠. 근본적으로 추가적인 데이터 읽기/쓰기 작업과 그로 인해 실제로 쓸 수 없는 추가적인 용량을 구성해야 하죠. 이러한 단점을 극복하고자 ZNS(Zoned Namespace)라는 기술이 등장하였습니다.
기존 NAND 플래시는 임의 쓰기 방식을 사용했고, 그로 인해 GC와 같은 정리 작업이 필요했습니다. 하지만 ZNS에서는 존(Zone) 단위로 순차 쓰기 방식을 통해 데이터를 저장합니다. 이를 통해 유사한 데이터끼리만 특정 존에 저장되어 가비지 컬렉션과 그리고 인한 OP 구성을 훨씬 더 효율적으로 할 수 있다는 장점이 있습니다.
이를 통해 SSD 성능 및 내구성 향상과 더불어, 존 단위로 구분이 되어 있기 때문에 맵핑 테이블의 필요성이 줄어들어 DRAM을 매우 효율적으로 사용할 수 있다는 장점이 있습니다. 현재 이 기술은 데이터 센터 제품을 중심으로 나오고 있습니다.
기존 SSD와 ZNS 방식의 차이 인포그래픽. 자료=삼성전자
여기까지 2편에 걸쳐 SSD에 대해 알아보았습니다. SSD는 앞으로도 저장 장치의 핵심 트렌드가 되겠지만, 기술이 발전할수록 성능과 내구성은 떨어지는 딜레마를 갖고 있습니다. 이를 극복하기 위한 저장 장치 업계의 다양한 혁신과 기술을 살펴보았죠.
현재 QLC 제품은 아직은 시장 초기 단계라고 할 수 있습니다. TLC 제품과 비교해 소비자들은 성능, 내구성, 가격 등 여러 면에서 냉담한 반응을 보이고 있죠. 사실 이러한 QLC에 대한 소비자의 냉담한 반응은 TLC 초기에도 동일했습니다. MLC 제품 대비 TLC 제품은 지금의 QLC 제품 취급과 별반 다를 것이 없었죠. 하지만 QLC 또한 머지않은 미래에 각종 기술을 탑재해 내구성과 성능을 잡고, 가격 하락을 통하면서 대중화되리라고 예상하는 견해도 많습니다. TLC가 그랬듯이요. 여기서 소개 드린 ZNS 기술이 소비자 제품에 적용될 수도 있겠죠.
2023년에는 어떠한 혁신이 SSD를 비롯한 저장 장치 패러다임을 주도하게 될까요? 주요 NAND 플래시 제조사들이 어떠한 혁신으로 보다 고용량, 저비용의 제품을 내놓는 경쟁이 기대됩니다. 언제나 그랬듯이, 기업 간 경쟁에서 웃는 것은 소비자니까요.
SSD의 각종 기술 파헤치기
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