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2 인텔 32nm 공정 10주년 : 싱글 코어 2배, 트랜지스터 밀도 10배 향상

퀘이사존지름
8 1841

2019.09.15 23:03

올해 4분기는 인텔이 공식적으로 32nm 공정을 대량 생산한지 10년이 된 때였습니다. 2009년에 인텔은 CPU 프로세서 아키텍처 및 공정 미세화에서 무적이었습니다. 2008년에 시작된 Nehalem은 향후 몇 년 동안 토대를 마련했으며 다른 경쟁자들은 반격할 힘이 없었습니다.


인텔은 2007년 32nm 공정을 최초로 시연하고 2009년 4분기에 양산을 시작했습니다. 첫 번째 제품 배치는 Clarkdale 시리즈의 Core i3 / i5이며 2010년 1분기에는 i7-980X와 같은 고급형 Gulftown 시리즈도 있습니다. 하반기에는 Core i7-970도 출시했습니다.


기존의 45nm 공정과 비교하여 32nm 공정은 많은 장점을 가지고 있으며, HKMG 재료의 첫 사용은 성능을 크게 향상시켰습니다. SRAM 면적은 45nm의 0.346um2에서 0.171um2로 감소했으며, 트랜지스터 밀도는 7MTr / mm2, 트랜지스터 성능은 22% 향상되었습니다.


물론 인텔의 최첨단 10nm 공정과 비교하여 트랜지스터 밀도는 100MTr / mm2에 이를 수 있으며 이는 32nm 공정보다 10배 이상 높으며 SRAM 면적은 0.032um2로 5배 이상 줄어듭니다.


현재 코어 프로세서들은 32nm 시대의 코어 프로세서의 트랜지스터 밀도가 거의 10배입니다. (코어 i9-9900K / i7-9700K vs. 코어 i7-970 / 980X)


그러나 흥미로운 점은 네티즌이 지난 10년 동안 프로세서의 단일 코어 성능을 비교 한 것인데, 코어 i7-970 주파수는 3.5GHz, GK4 싱글 코어 점수는 약 606 포인트, 코어 i9-9900K 주파수는 5GHz, 싱글 코어 점수는 1334 포인트입니다. 단일 코어 성능은 10년 동안 두 배 약간 넘게 증가했습니다.




퀘이사존의 창작 콘텐츠가 아닌 해외 IT 매체 mydrivers의 단순 번역본 뉴스입니다. 

원문 출처 mydrivers

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