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삼성. 2021년 3nm 대량 생산 계획 (By OC)

QM볼타

56 4908 18 2019.01.12 11:16

<img src="https://img2.quasarzone.co.kr/img/data/img/editor/1901/1901___703169534.jpg" title="fb7710476669513badf11f3922dcb95c_1547259202_4255.jpg" style="max-width:100%; height:auto;">    안녕하세요. 회원 여러분. 퀘이사존볼타입니다. 원문은 OC3D의 뉴스이며 더 자세한 정보는 원문 링크를 참고해 주시기 바랍니다.  삼성은 2021년에 3nm GAAFET(Gate-All-Around-Field-Effect Transistor)를 대량 생산할 예정입니다. GAAFET는 FinFET 공정의 확장과 한계를 극복하기 위해 채널의 모든 면에 총 4개의 게이트를 구성시킨 것인데요. 기존 FinFET이 부채꼴처럼 생긴 채널의 세면을 효과적으로 커버했다면 GAAFET는 3차원 트랜지스터에 가깝습니다. 채널 주변의 게이트를 감싸면 전압 손실을 줄일 수 있고. 따라서 트랜지스터 효율이 증가하게 되죠. 결국 더 나은 전력 효율성을 갖출 것이란 이야기입니다. 삼성은 지난 수년간 GAAFET 기술을 개발해왔으며, 이미 삼성은 4nm GAAFET 기술의 출시 시점을 2020년으로 앞당긴 상황인데요. 7nmEUV 공정 노드에서도 가장 빠른 최초의 회사가 될 것으로 기대되고 있습니다. 한편, 파운드리 경쟁업체인 TSMC는 7nm 공정을 계승한 7nm+ 공정에 EUV 기술을 구현할 계획을 가지고 있죠. <img src="https://img2.quasarzone.co.kr/img/data/img/editor/1901/1901___2085542239.png" title="fb7710476669513badf11f3922dcb95c_1547259248_578.png" style="max-width:100%; height:auto;"> 위에서 언급한 대로, 삼성이 2021년에 3nm GAAFET를 이뤄낸다면 삼성은 세계 최고의 실리콘 파운드리 회사가 될 것으로 예상됩니다.

QM볼타

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