삼성. 2021년 3nm 대량 생산 계획 (By OC)

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안녕하세요. 회원 여러분. 퀘이사존볼타입니다.

 

원문은 OC3D의 뉴스이며 더 자세한 정보는 원문 링크를 참고해 주시기 바랍니다.

 

 

삼성은 2021년에 3nm GAAFET(Gate-All-Around-Field-Effect Transistor)를 대량 생산할 예정입니다.

 

GAAFET는 FinFET 공정의 확장과 한계를 극복하기 위해 채널의 모든 면에 총 4개의 게이트를 구성시킨 것인데요. 기존 FinFET이 부채꼴처럼 생긴 채널의 세면을 효과적으로 커버했다면 GAAFET는 3차원 트랜지스터에 가깝습니다.


채널 주변의 게이트를 감싸면 전압 손실을 줄일 수 있고. 따라서 트랜지스터 효율이 증가하게 되죠. 결국 더 나은 전력 효율성을 갖출 것이란 이야기입니다.


삼성은 지난 수년간 GAAFET 기술을 개발해왔으며, 이미 삼성은 4nm GAAFET 기술의 출시 시점을 2020년으로 앞당긴 상황인데요. 7nmEUV 공정 노드에서도 가장 빠른 최초의 회사가 될 것으로 기대되고 있습니다.


한편, 파운드리 경쟁업체인 TSMC는 7nm 공정을 계승한 7nm+ 공정에 EUV 기술을 구현할 계획을 가지고 있죠.




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위에서 언급한 대로, 삼성이 2021년에 3nm GAAFET를 이뤄낸다면 삼성은 세계 최고의 실리콘 파운드리 회사가 될 것으로 예상됩니다. 





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    댓글 : 56
찌빵  
베스트 댓글
  2021년을  10년뒤로 봤네...순간 ..... 내가 바보거나 삼성이 빠르거나 ㅋㅋㅋㅋ  7나노미터 나온다 라이젠 난리치길래  3나노를 너무 멀리내다봤네 ㅋㅋㅋㅋㅋ 지금 2019년인걸 잊었다 ....

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무니뮤니  
[@hodoal] 들어보면 인텔이나 tsmc라고 뭐 딱히 나은 것도 없습니다. ... 진짜예요
선인장  
ㄷㄷ 얼마나 갈아넣은 건가요.
카오스  

축하합니다! 행운 포인트 2점을 획득하였습니다!

로인  
대단하네요
ExKyuze  
양산 전자가 또
kimsc9  
기술력 진짜 대단하군요
WATAROO  
외계인을 대량 납치했나..
티파니짱  
대단하네요. 2019년인데 2년후여 3NM공정를 볼수 있다니

인텔도 삼성에게 의뢰해라

축하합니다! 행운 포인트 5점을 획득하였습니다!

arpeggio  
대체 외계인을 어디에서 잡아온거죠?
cascade  
5nm 먼저 나오고 보자
PutSalt  
어느 행성 외계인인가
대소마왕  
삼성 가즈아ㅏㅏㅏㅏㅏㅏ!!
Jay65535  
3나노 캬
Altair  
이 기세라면 1나노 시대도 곧 오겠군요ㅣ;
연관청  
갓삼성 삼성없으면 한국 어쩔뻔.....
brightwan  
대단하네요
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