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64GB 풀뱅크 / 링스 안정화 시 유의할 점

아폴리온 16 296 1

저는 게이밍이 아니라 취미/작업용으로 컴을 세팅했는데,

메모리 점유율을 상당히 많이 잡아먹는 작업인지라

메모리를 삼성 PC4-21300 램 16GB x 4개,

64GB Quad-Rank(4개 풀뱅크)로 구성하고 있습니다.

 

 

사실 제가 하고 있는 작업에서는

메모리의 클럭과 타이밍이 작업 속도에 미치는 영향이 거의 없어

순정(2666 CL19)으로 사용해도 무방하지만,

Z보드로 램오버를 하지 않으면 왠지 손해보는 기분(?)이 들어

3200~3600 각 클럭별로 램오버 후 안정화를 해서

사용하고 있었습니다.

 

 

조금 꼼꼼한 성격이라 램오버 안정화는 굉장히 빡세게 했습니다.

 

- TM5 ADV4 : 100회 (50회 x 2번)

- HCI MemTest : 2000% (800% + 1200% 한 번씩)

- Prime95 : Large FFTs Test 8시간

- RealBench : 4시간 이상

 

무조건 위의 테스트를 통과해야만

그 램오버 세팅을 사용했고,

거의 완전무결할 것이라 생각했습니다.

(실사에도 전혀 지장이 없었습니다.)

 

해본 분은 아시겠지만, 64GB 메모리 오버할 때

가장 고통스러운 건 시간이 너무 많이 소요된다는 점입니다.

그래도 인내를 갖고 했습니다. ㅎㅎ

 

그런데 링스는 CPU 오버쪽 툴이라는 선입견 때문에

돌리지 않았는데...이게 저의 착오였습니다.

 

 

 

램오버를 마치고 CPU 50배수 설정 후

링스로 안정화 테스트를 하는데

여기서부터 개고생이 시작되었습니다.

 

 

처음에는 1.32V에서 링스(093) 50회 2번을

잔차 튀지 않고 에러 없이 완주해서

안정화가 끝났다고 생각했습니다.

 

 

며칠 사용하다가

다시 링스를 30회 돌려봤는데

28회차에서 잔차가 1번 튀더군요. -_-^

 

전압을 계속 올리면서 링스를 돌려도

30~40회 사이클 중 잔차가 꼭 1번씩 튀었습니다.

 

지플값도 안정적으로 나왔는데

잔차가 엉망진창으로 마구 튀는게 아니라

애~매하게 딱 1번씩 튀더라고요.

 

 

전압을 1.37V까지 줬는데도

30회 실행 중 잔차가 1번 튀었습니다.

 

 

 

 

처음에는 CPU 수율의 한계인 줄 알고

CPU 배수를 49배수로 내리려고 했습니다만...

 

 

뭔가 아쉬워서

램오버 설정을 싹 다 default로 돌리고

CPU 쪽만 50배수로 설정하여

링스를 돌렸더니 1.29~1.30V 에서도

잔차가 전혀 튀지 않았습니다.

 

 

거의 완전무결할 것이라 생각했던

램오버쪽이 문제인 듯 했습니다.

 

- TM5 ADV4 : 100회 (50회 x 2번)

- HCI MemTest : 2000% (800% + 1200% 한 번씩)

- Prime95 : Large FFTs Test 8시간

- RealBench : 4시간 이상

 

위의 테스트를 통과했는데도 말이죠.

 

 

다시 TM5, HCI, Prime95를 돌렸는데

에러는 검출되지 않았습니다.

 

 

그래서 이번엔 CPU 오버 설정은 하지 않고

램오버만 한 상태에서 링스를 돌렸더니

잔차가 튀더군요...!!!

 

DRAM 전압을 올리고

VCCIO, VCCSA 전압을 조정해도

잔차가 튀었습니다.

 

 

 

정확한 이유는 모르겠지만

제가 추정한 이유는 아래와 같습니다.

 

 

(1) 해당 램오버 세팅(클럭/타이밍/전압 등)이

TM5, HCI, Prime95 테스트 통과에는 전혀 문제가 없지만,

일반 링스의 연산 테스트를 통과하는 데에는 문제가 있다.

 

(2) 듀얼 랭크 구성 시에는 링스 통과에 문제가 없었다.

쿼드 랭크(풀뱅크) 구성 시에 이와 같은 문제가 발생한다.

해당 램오버 세팅으로 링스를 통과하기에는

CPU 멤컨 / 메인보드 메모리쪽 설계 / 메모리 수율 중

하나가 문제가 된다.

 

 

** MSI 보드의 메모리쪽 설계가 Daisy-Chain 방식이라

    듀얼 구성에는 엄청난 강점이 있으나,  

    쿼드 구성에서는 약간의 디스어드밴티지가 있을 수도 있습니다.

 

 

 

 

그래서 램타이밍을 좀 풀기로 했습니다.

16-18-18....로 세팅되어 있던 것을

16-19-19....로 풀어주고, DRAM 전압 0.01V 더 주고 링스를 돌렸더니

그제서야 잔차 튐 없이 완주를 하였습니다.

 

 

약간 현타가 오는 순간이었습니다.

 

16-18-18....세팅은 TM5, HCI, Prime95를 넘었지만  

링스는 넘을 수 없었던 세팅이었던 것 같습니다.

 

 

결국 16-19-19....로 램타를 풀고,

CPU 50배수 설정하여 링스를 돌렸더니

 

이전에는 CPU 전압을 1.37V까지 올려도 잔차가 1번씩 튀던 것이

1.30V에서 무슨 짓을 해도 잔차가 안 튀더군요.

 

약간 허망하기도 하고.

 

 

=======================================================

 

 

(1) 듀얼 구성(8GB x 2개, 16GB x 2개)에서는

위와 같은 문제가 발생하지 않았습니다.

 

16GB x 2개로 TM5, HCI, Prime95 통과 후

바로 CPU 오버클럭에 들어가도 큰 문제가 없었습니다.

 

 

 

 

(2) 쿼드 구성(4개 풀뱅크)에서는 CPU 멤컨, 메인보드, 메모리 수율에 따라

TM5, HCI, Prime95를 빡세게 통과해도 일반 링스를 통과하지 못할 수 있습니다.

(물론 통과할 수도 있습니다.)

 

 

 

 

(3) 쿼드 구성의 메모리(16GB x 4개, 32GB x 4개)로

램오버 후 --> CPU 오버를 진행하시려는 분들은

저처럼 중간에 개고생하지 마시고,

 

일단 램오버 TM5, HCI, Prime95 빡세게 굴려서 통과시킨 후,

일반 링스도 돌려서 잔차가 튀는지 확인해보시는 걸 추천합니다.

 

해당 램오버 세팅이 링스를 통과하면,

그 후에 CPU 오버를 진행하여 링스 테스트를 시도하면

안정화 과정이 더 수월해질 수도 있을 겁니다.

 

 

 

 

 

*** 하시려는 작업이 램오버에 영향을 받지 않는다면

     그냥 램오버는 하지 마세요~!!! 아우~ 시간낭비~~

 

 

 

 

*** 본문의 쿼드 랭크(잘못된 표현)...는

     풀뱅크 또는 풀 슬롯의 개념으로 이해해주십시오.  

 

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작성자

현재 레벨 : 명왕성 아폴리온  회원
9,099 (82%)

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    댓글 : 16
괴물이네  
쿼드 채널이라고 하셔서 시스템 구성을 다시 봤네요. 일반적인 개인 소비자용 프로세서는 2개의 채널을 지원합니다. 그러니 지금 사용하시는 건 듀얼 채널에 확장 슬롯까지 채운 '풀 슬롯 시스템'이라고 표현해야 맞겠죠.
아폴리온  
[@괴물이네] 쿼드 채널(Quad Channel)이 아니라 쿼드 랭크(Quad-Rank)라는 표현을 썼습니다.
해외에서는 4개 풀뱅크를 Quad Rank라는 표현으로도 씁니다.
메모리 2개 듀얼 구성은 Dual Rank라고 많이 쓰기도 하고요.

그리고 후반부에서는 '쿼드 채널'이 아니라 '쿼드 구성'이라고 했습니다.

쿼드 채널을 쓰려면 인텔에서는 코어 X 시리즈를 사용해야 한다는 것은 알고 있습니다.
괴물이네  
[@아폴리온] 옥타 랭크(Rank 8) 시스템을 사용하고 계십니다.
아폴리온  
[@괴물이네] 쿼드 채널을 의미한 것은 아니었으나,
rank라는 표현을 잘못 알고 사용했군요.

quad rank는 그냥 흔히들 말하는 풀뱅크나
말씀하신 '풀 슬롯'으로 정정하겠습니다.
내일의조  
[@아폴리온] 메모리에서 Rank와.. 채널은 전혀 다른 의미를 두고 있습니다.
아폴리온  
[@내일의조] 네. 채널은 본문에서 제가 전혀 쓰지 않은 표현인데
다른 회원님이 잘못 보신 것 같고요.
(쿼드..라는 단어 때문에 채널이라는 단어가
자연스럽게 연상되는 듯 합니다)

rank는 해외 하드웨어 포럼 게시판에서
제가 해외 유저들과 이야기를 나누던 도중
몇몇 유저분들이 제 시스템 정보(메모리 16gb X 4개)를 보고
quad rank라는 표현을 자꾸 쓰길래 (그분들도 잘못 알고 있는 듯)
제가 무심결에 잘못 알고 쓴 표현입니다.
이건 본문 말미에 정정을 하였습니다.
미뇽  
이번에 9600kf 실험하면서 느낀점이 인텔 램오버는
링스096로 검증부터가 시작 아닌가?하는 생각이 듭니다
아폴리온  
[@미뇽] TM5, HCI MEMTEST, PRIME95면 될 줄 알았는데...
일단 가능성을 열어두고 여러 툴을 돌려보는 게 좋다는 걸
배웠습니다.
미뇽  
[@아폴리온] 저도 이번에 고정관념이 깨졌습니다
조명발유키  
[@미뇽] 안꺠도 되요 ㅋㅋㅋㅋㅋ
미뇽  
[@조명발유키] CPU오버부터 하는걸로!!!
조명발유키  
[@미뇽] CPU오버 하고 tFAW 조여서 지플값 올리고 추가온도 20도 견디기 -ㅅ -!!!
디아블로하자  
Tm5가 전부가 아니군요
096 주행은 어렵던데..
64기가 풀뱅이면 ㅎㄷㄷ
조명발유키  
우선 말씀드리자면 잔차의 원인은 현재의 수온일 경우가 가장 큽니다.

커수가 아닌 일체형 수냉이기 떄문에 현재 잔차튀는 이유는 절대적으로 수온이 올라가고 잘 안식어서 튀는겁니다.

보통 커수하시고 헤비오버클럭커 분들도 에어컨 켜고 모라상판을 에어컨에 갖다대고 링스를 돌립니다.

일반적으로 링스 이상으로 프로그램 과부하가 걸릴 일이 없기에
일단 에러나 잔차 검증을 위해서 링스 완료까지 에어컨 밑이나 선풍기 혹은 창문열어놓고 돌리는 거지요.

더군다나 16기가 풀뱅은.... 어우 오버하기도 빡세셨겠네여....

온도( 특히 수온이 떨어지면) 먹는 전압값도 떨어집니다.
그럼 더더욱 안정적인 온도관리가 되는거죠.
아폴리온  
[@조명발유키] 수온이 중요한 요인이겠군요.

저같은 경우는 확인해보니 램오버만 세팅하고 (CPU 배수는 건드리지 않음) 링스를 돌릴 때도 잔차가 튀는 경우였는데 이 때 온도는 낮은 상황이었거든요...(이 램오버는 tm5, hci 다 통과한 세팅)

링스를 통과 못 한 램오버 세팅에서는 50배수 넣고 문제크기 최대(65000)로 링스 50회 사이클로 4번 돌려보니 두 번 성공하고, 두 번은 잔차가 1회씩 튀었고

링스를 통과한 램오버 세팅으로 50배수 넣고 문제크기 65000 으로 50회 × 5번을 돌렸을 때는 잔차가 단 한 번도 튀지 않았습니다.

** 두 경우 다 동일전압

수온 요인도 매우 클 것 같고, 본문의 경우에는 수정하기 전의 램타이밍 세팅이 tm5, hci 멤테는 통과하는데 링스 테스트는 통과하지 못 하는 이유도 크지 않았나 추측하고 있습니다.
조명발유키  
[@아폴리온] 물론 정확한 램오버 셋팅이 아니면 잔차가 튈 가능성도 농후합니다.
그건 배제할 수 없지요.
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